发布时间：2021-05-10 08:32:29 阅读量：286次
格子核心(GLOBALFOUNDRIES)正式宣布，为了支持公司的战略调整，格子核心放置7纳米FinFET项目，调整相应的研究开发团队支持强化的产品组合方案。在裁员的同时，大部分顶尖技术人员将被部署到14/12纳米FinFET衍生产品和其他差异化产品的工作中。
这个消息来得太突然了，在格芯主页上7nm的介绍还没有撤退。2017年6月14日发表的格芯交付性能领先的7纳米FinFET技术即将到来的新闻稿也很出色。
在该新闻稿中，格子核心发表了
2016年9月，格芯宣布利用高性能芯片制造无与伦比的技术积累，开发自己的7纳米FinFET技术计划。由于晶体管和工艺水平的进一步提高，7LP技术的表现远优于最初的性能目标。与以前基于14nmFinFET技术的产品相比，预计面积将减少一半，同时处理性能将超过40%。目前，格芯位于纽约萨拉托加县全球领先的Fab萧克8晶圆工厂，该技术已准备为客户设计提供服务。
但…
放置7nmFinFET项目，这被业界视为今年初的汤姆·嘉菲尔德(TomCaulfield)。
格芯表示，公司正在重建其技术组合，重点关注为高增长市场的客户提供真正的差异化产品。因此，格子核心一是将相应的开发资源优化，使14/12纳米FinFET平台为这些客户提供射频、嵌入式存储器和低功耗等一系列创新IP和功能，二是继续着重于FDX发布平台、领先的射频产品(包括RF上的SOI和高性能锗硅)和模拟/混合信号
2017年2月10日，格芯宣布在中国成都高新技术西区设立12英寸代工厂，在半导体行业产生巨大影响:项目一期成熟的130nm和180nm技术，二期为22FDXFD-SOI技术，年产能达到100万张。
一方面，完成了世界Top3代工厂在中国的布局，另一方面，FD-SOI技术经过数年的酝酿，终于在中国定居。
格芯中国区社长白农评论说:“对我国的客户和生产伙伴来说是积极的变化。因为我们加强了FDX等差异化技术。这些差异化技术在中国市场的需求不断增加，对核心来说一直很重要。我们对FD/SOI和与成都政府合作的承诺没有改变。”
"从本质上讲，每一代技术节点都在向多个应用领域提供服务的设计平台过渡，为每一个节点提供更长的使用寿命。该行业的动向使设计范围达到摩尔法则外部界限的无晶圆工厂的客户越来越少。我们正在重组我们的资源，改变业务重心，加倍投资整个产品组合中的差异化技术，有目标服务不断增加的细分市场客户。嘉菲尔德对媒体说。
如果这个表现听起来“过于正式”，Gartner开发副社长SamuelWang的解释就更加简单明了。
他分析说，最先进的技术往往占据很多热门搜索标题的位置，但实现7nm和更高精度的成本和成本很少相比之下，14纳米以上的技术将成为未来多年芯片代理业务的重要需求和驱动因素。格子核心的这种做法真的减轻了前沿技术领域的过度投资负担，使格子核心这样的企业能够在物联网、IoT、5G行业和汽车等急速成长的市场上更加明确地投资很多芯片设计者真正重要的技术。
另外，为了更好地发挥ASIC设计和IP方面的强大背景和重大投资，核心还发表了另一项重大措施。该独立的ASIC实体为客户提供7纳米以下的晶片替代选项，ASIC业务部与更广泛的客户合作，特别是越来越多的系统公司，在需要ASIC服务的同时，生产规模的需求不仅仅是核心。
独立的ASIC设计服务公司，与市场上现有的其他设计服务公司竞争是不可避免的。但是，它也摆脱了限制，不区分FinFET和FD-SOI技术，不再担心是选择积电还是SMIC，都是以顾客的需求为基础的出发点。
ASIC设计服务，越来越刺激！
一周前，联电(UMC)也宣布“不再投资12纳米以下的先进技术”“
宣布在世界半导体产业引起巨大波动，外资分析外资分析师的意见是两极的，摩根斯坦利分析师詹家鸿在7月的报告中认为，联电是“把钱花在正确的地方”，提高联电的投资评价等UBS(瑞银集)也给予购买评价等，花旗证券质疑联电在28纳米的竞争力，给予销售评价等。
“联电客户群缩小，但先进技术每一代，生产能力的投资成本越来越高。联电共同社长王石在接受财经媒体采访时，分析说联电和台积电比喻为战舰。在先进技术的战争中，联电这艘战舰越来越小，台积电越来越大。在过去的18年里，每当台积电这艘大船换上口径更大的大炮，联电也努力做同样的事情，期待技术领先，扩大规模，但是18年过去了，这件事一直没有发生。
追逐战略使联电长期处于劣势。客户群变小，技术和资源变少，继续投入，但发售时间比人晚。经常出现的情况是，联电赶上台积电的最新技术时，这个新技术也过了价格最高的黄金时期，开始降价的同样投入先进技术，联电需要更多的时间，可以回收投资于研究开发和生产能力的钱。
以28纳米为例，这是目前晶圆代理产业最赚钱的服务，联电是少数在台积电后开发28纳米技术的公司
"我们到了不能改变的时候。王石直言不讳地说，最明显的指标之一是，由于过去的过度投资，联电必须维持90%以上的生产能力利用率才能赚钱。我们的EPS(每股税后纯利润)用力拧毛巾挤出来。他认为，过去，我们牺牲利润来改变收入增长。“
“但不继续追求先进技术是正确的决定吗？为了回答这个问题，王石在公司内追踪了好几年。他发现解读台积电累死对手战略的关键是合理纪律，扎实确立联电在市场上的影响力和财务纪律。
来自EETimes美国的报道显示，台积电(TSMC)在美国硅谷举行的年度技术研讨会上宣布7nm工艺批量生产，采用极紫外光微影(EUV)该公司还透露了5nm节点的第一个时间表和几种新的包装技术选项。
台积电继续向更主流的22/12纳米节点推进低功耗、低泄漏电流工艺，提供多种特殊工艺和一系列嵌入式存储选项总的来说，这个台湾晶片代理店预计今年可以生产1，200万片晶片，研究开发和资本支出增加的台积电也将在中国南京的据点生产16纳米FinFET工艺芯片。
唯一的坏消息是台积电的新工艺节点不完整，因此带来的优势也越来越薄常态是性能增加，功耗下降幅度通常在10~20%左右
台积电已经开始批量生产的7nm工艺，预计今年将有50多个设计方案投片(tappout)，包括CPU、GPU、AI加速器芯片、加密货币采矿ASIC、网络芯片、游戏机芯片、5G芯片和汽车IC。该工艺节点与两代前16FF工艺相比，可提供35%的速度上升或节约65%的消耗电力，闸门密度上升3倍。
采用EUV微型电影的N7节点，可以进一步提高门的密度20%，消耗电力10%，但速度显然没有提高-台积电已经验证了所谓的N7节点的基础IP，但是几个重要的功能块在今年年底或明年年初之前准备好了。包括28-112G训练serdes、嵌入式FPGA、HBM2和DDR5接口。
台积电研究的发展/设计和技术平台副社长侯永清(Cliffhou)预计，该EUV工艺在布局IP方面需要10%~20%的力量:“我们开发了以渐进方式转移IP的实用方法。经过完全认证的N7节点EDA流程在8月完成的同时，该节点的256Mbit测试SRAM良率与初期版本的7纳米节点相当。
展望未来，台积电预计在2019上半年实施5nm工艺风险试制，锁定手机和高性能运算芯片的应用，与第一版不采用EUV的7nm工艺相比，5nm节点的密度是1.8倍，但功耗预计只下降20%，速度约增加15%，采用极低值电压。
