目前，世界上大多数光刻工艺销售市场被美国和日本垄断，中国的每个人都在努力突破其中的技术问题。在整个光刻过程中，有一种关键的原材料叫做光掩模，没有光掩模，集成电路芯片就不能在圆形晶体上描绘。2020年7月，中科院发表毕业论文，研究方向是5nm光刻技术，大多数人认为这意味着中科院被提升到了最好的5nm极紫外光刻工艺。

光刻工艺

在加工芯片的过程中，光刻是主要设备，光刻是不可缺少的关键阶段。光刻的精度水平决定了加工ADS1251U芯片的特性，也就意味着半导体行业的健全水平。国内所有人都一直期待在这些领域获得领先影响力，但结果并不尽如人意。

事实上，光刻技术往往很难制造，因为光刻技术真的太复杂了，不仅需要顶级的光源标准，而且对精度也有近乎严格的规定。目前，世界上大多数光刻工艺销售市场被美国和日本垄断，中国的每个人都在努力突破其中的技术问题。

那么平版是什么样的作品呢？为什么这么多国家都能被难倒？众所周知，加工芯片的衬底是半导体材料的圆形晶体，光刻是在圆形晶体上制造加工芯片的第一步。在整个光刻过程中，有一种关键的原材料叫做光掩模，没有光掩模，集成电路芯片就不能在圆形晶体上描绘。

另外，光掩膜分为高、中、低三个等级，按照高等级光掩膜制作的加工芯片更加优秀，而低端光掩膜只用于制作一般的加工芯片。显然，高档光掩模也是每个国家都喜欢的目标，但是制作这种原材料的难度系数很高。如果精度达不到要求，提高不是一件容易的事情！

就目前的情况来看，中国在光掩模销售市场上仍然依赖海外进口。但随着中科院的推进，这种依赖逐渐缓解，然后可能会完全消退。那么当今中国的光刻技术达到了什么水平呢？

国内标准

在讨论这个问题之前，我们应该先讨论一下中科院的信息，很多人已经解释得太多甚至是错误的了。2020年7月，中科院发表毕业论文，研究方向是5nm光刻技术，大多数人认为这意味着中科院被提升到了最好的5nm极紫外光刻工艺。

然而客观事实并非如此。毕业论文的通讯作者刘谦在接受新闻媒体采访时表示，中科院科研中的5纳米光刻技术是为了生产制造光掩膜，而不是光刻中使用的极紫外线。换句话说，中科院论文的发表并不等同于国产光刻机达到5nm的技术水平。

对于这个事情，很多 国人会想，难道国内没有5nm光刻工艺吗？从某种程度上来说，这个问题的答案是毋庸置疑的，5nm在中国也是没有希望的。另外中科院紧急辟谣:5nm光刻工艺根本不实用，国内标准只有180nm！

突然从5nm降到180nm，很多人都无法接受。但必须明白，180nm才是国产光刻机真正的技术水平，即使不愿意承认，也要处理。如果连自己的缺点都应付不了，怎么突破瓶颈？

毫无疑问，180nm还是比较落后的，这也是中国芯片拖延这么久也涨不起来的关键原因。光刻作为光刻技术的关键驱动力，在中国无疑是不容易抛弃的。现在是180nm，不代表以后也是180nm。现在不能升级到5nm，不代表以后不能升级！

所以大家对国内的技术和集成电路芯片要有充分的信心，只有坚定的相信自己，才能不断的提升自己。而且最近国内有很多好消息，光刻技术暂时不急。

举个简单的例子，华为集团的子公司海思(hisilicon)已经转型为一家IDM公司，不仅需要掌握ic设计的技术性，还准备提前涉足芯片制造和销售市场，成为三星这样的大老板。此外，华为还宣布了对光刻技术进行全方位合理布局的决定。加上它的加入，国产光刻技术将进入更高的期待！

写在最后

虽然有一定程度的技术性，但科技人员的智力是无穷无尽的，所以在中国这么多科研工作者的共同努力下，无论技术性有多难，都会被打破，除了平版。我坚信，中国一定能够实现技术崛起的总体目标，获得领先的影响力！